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发布日期：2024-08-26 11:56 点击次数：83
媒介
跟着光伏与储能系统的快速发展，新动力市集对收尾和功率密度的要求越来越高，这要求功率器件的开关频率和性能同步升迁。为了温顺高开关频率的需求，华太电子在超结IGBT一代的基础上研发出650V和1200V的超等结IGBT第二代（以下简称：SJ-IGBT G2）系列居品。与场截止型IGBT比拟，SJ-IGBT G2充分发达了超等结的上风，权贵升迁了器件的正向导通武艺和开关本性。
01 SJ-IGBT G2时代特质
秉承超等结IGBT可齐备已毕高耐压、低通态压降的本性。在功率器件关断时，低掺杂的外延层要承受高耐压；在功率器件导通时，器件里面酿成一个高掺杂N+区，当作功率器件的电通顺道。
比拟于传统FS IGBT，SJ-IGBT G2有如下上风：
低导通压降：在相同的反向耐压下，SJ-IGBT G2具有更薄的漂移区，可有用裁减芯片导通压降。
低开关损耗：漂移区的超等结结构大概加快空间电场配置速率，有用升迁器件开关速率，裁减开关损耗。
高疏导收尾：华太SJ-IGBT G2与海外友商最新第七代IGBT比拟，轮廓性能升迁40%以上，使得开采体积更小，资本更低。
02 SJ-IGBT G2性能展示
SJ-IGBT G2分为高性能(HP)和高性价比(HF)系列：
SJ-IGBT G2 HP系列领有极低的开关损耗，不错复旧硬开关频率到100KHZ，软开关频率到250kHZ，主打高频哄骗场景。
SJ-IGBT G2 HF系列与海外友商H7系列的居品质能荒谬，芯单方面积裁减10%以上，p2p网贷主打高性价比。
在单体和整机哄骗中SJ-IGBT G2与友商的性能对比:
单体性能展示
整机性能展示
SJ-IGBT G2 HF系列在充电桩PFC电路中替代原有IGBT测试
PFC收尾对比-1000V
1000V条款下华太SJ-IGBT G2 HF收尾最优（满载收尾较原装高0.06%，轻载高0.28%）。
PFC收尾对比-500V
500V条款下华太SJ-IGBT G2 HF收尾最优（30kW收尾较原装高0.13%，轻载高0.17%）。
40kW PFC替代测试论断
2.SJ-IGBT G2 HP系列在充电桩LLC电路中替代超结MOS测试
1000V输出条款下VCE&收尾对比
与友商SJMOS比拟，SJ2HP IGBT单管系统收尾最高95.09%@20KW，在满载情况下，SJ2HP比友商高0.98%
500V输出条款下VCE&收尾对比
与友商SJMOS比拟，SJ2HP IGBT单管系统收尾最高95%@25KW，在轻载情况下，SJ2HP比友商高1.24%
03 SJ-IGBT G2稳健的哄骗
04 SJ-IGBT 居品概览
SJ-IGBT G2居品列表
SJ-IGBT G1居品列表
结语
由于SJ-IGBT第二代具有高开关频率、低导通损耗和资本上风，当今SJ-IGBT系列居品已在光伏、储能等规模已毕了大范围哄骗。该居品冉冉酿成系列化，公司在世界多个中枢城市，如苏州、北京、上海、深圳和西安建设了奇迹处，为世界客户提供优质服务。迎接巨大客户前来研讨与配合。
对于华太
苏州华太电子时代股份有限公司（简称：华太），栽植于2010年3月，是一家领有半导体产业链多要领底层中枢时代、多规模布局协同发展的平台型半导体公司。公司主要从事射频系列居品、功率系列居品、专用模拟芯片、工控SoC芯片、高端散热材料的研发、分娩与销售，并提供大功率封测业务，居品可等闲哄骗于通讯基站、光伏发电与储能、半导体装备、智能末端、新动力汽车、工业截止等大功率场景。
咱们的团队精明器件策画、工艺开发、功放策画、大信号模子开发、单片微波集成电路策画、封装策画、可靠性测试和量产。翌日，华太将继续培育新兴时代，为巨匠客户提供立异处置决策。